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采用双堆栈技术,三星第七代 V NAND 闪存可dr开头股票达 176 层

2020-09-14

依照韩媒报道,dr开头股票三星在下一代闪存芯片的开辟中取得庞大指望,第七代 V NAND 闪存芯片将到达 176 层,并将于来岁 4 月实现量产。这将是业界首个高于 160 层的高档另外 NAND 闪存芯片,三星将因而再次拉开与竞争敌手的技巧差距,模拟股票账户保持自 2002 年以来一向在环球 NAND 闪存市场中排名第一的职位。

图片源自 flickr

比较于上一代闪存,第七代闪存在仓库上取得明明的前进。三星的第六代 NAND 闪存是 128 层,于本年 6 月最先量产,而第七代闪存将到达 176 层,股票公式语言尽量并没有到达其最初打算的 192 层,但依旧有着明明的前进。

据悉,第七代 NAND 闪存回收了 “双仓库”技巧,这是一种可以将通孔分成两部门的,股票如何举牌以便电畅通过电路的要领。已往的单仓库只能有一部门通孔,跟着仓库层数的增多,工艺也随之改造。

本年 6 月,三星公布将投资约 9 万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工场的 2 号线建树新的 NAND 闪存芯片出产法子,上海钢联股票每股多少钱以扩展 NAND 闪存的出产线,并估计该法子将于 2021 年下半年投入运营。三星暗示,将在新所在大局限出产尖端 NAND 存储芯片,也许比原打算更早最先量产第七代 NAND 闪存芯片。

与 ARAM 比较,雷曼股票行情NAND 闪存是更具代表性的存储芯片,且其存储容量跟着仓库数的郑家而增进,因而仓库的层数也被视为 NAND 闪存的焦点竞争力。

三星一向通过镌汰集成电路的线宽来进步存储芯片的机能和容量,引领高档 NAND 闪存的开辟。

自 2006 年以来,三星一向钻研 3D NAND 闪存。在存储芯片的成长过程中,跟着存储数据的单位变小,当线宽小于 10nm 时,便轻易受到单位同单位之间的滋扰,而 3D NAND 闪存可以兴许垂直支配在平面平分列的单位,以镌汰单位间的滋扰。这是一种通过像公寓一样垂直堆叠现有平面布局 NAND 来增进存储容量的要领,在业界被称之为 3D NAND 闪存,被三星自力定名为 V NAND。

2013 年,三星乐成量产了天下上第一个三维单位布局的 V NAND 闪存,从而改变了技巧范式。其时无数人对 V NAND 闪存的贸易化暗示猜疑,不外此刻全体的存储芯片公司都在睁开激烈的 3D NAND 闪存竞争。长江存储的 128 层 3D NAND 闪存已于本年公布量产,英特尔也有本年宣告了 144 层 3D NAND 闪存,SK 海力士今朝处于 176 4D NAND 钻研阶段,此外尚有西部数据(Western Digital)和铠侠(Kioxia)等公司也在竞争之列。

在第一代(24 层)V NAND 闪存贸易化之后,三星一连增进仓库层,今朝已经成长到第二代(32 层)、第三代(48 层)、第四代(64/72 层)、第五代(92/96 层)和第六代(128 层)。凡是更新一代,必要 1 到 2 年时刻。

三星于客岁 8 月完成 128 层 V NAND 闪存的开辟,并实现量产。其时,三星公布已经向环球 PC 公司提供了基于第六代 NAND 闪存的企业 PC 固态驱动器(SSD)。

在 NAND 闪存市场上,三星一向业界率先。客岁,三星以 165.17 亿美元的贩卖额占有环球市场的 35.9%,在 NAND 闪存市场中排名第一,一连自 2002 年以来的率先职位。

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